STB120N4F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB120N4F6技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当每一瓦的功率都关乎系统成败，选择一颗真正强悍的MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STB120N4F6，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统性能、迈向更高可靠性的强大引擎。

想象一下，在严苛的汽车引擎舱环境中，或是高功率的DC-DC转换器里，系统需要承受剧烈的温度波动和持续的电流冲击。STB120N4F6正是为此而生。它凭借仅4毫欧的超低导通电阻，在40A的大电流下将传导损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达80A的连续漏极电流承载能力和110W的功率耗散能力，意味着它能在更小的空间内处理更大的功率，为您的电源设计带来前所未有的功率密度提升。无论是电机驱动、电池管理系统，还是高功率LED照明和工业电源，它都能游刃有余，成为系统稳定运行的坚实基石。

为何众多工程师在面临关键选择时，会毫不犹豫地青睐STB120N4F6？答案在于其背后深厚的技术底蕴与卓越的品质承诺。它隶属于意法半导体备受赞誉的Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VI产品系列，这意味着它从设计之初就遵循了汽车级的严苛标准，拥有卓越的可靠性和长寿命。极低的栅极电荷（65nC）确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，让您的系统效率再上一个台阶。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够从容应对从极寒到酷热的任何挑战。选择它，就是选择了一份安心与卓越。如果您正在寻找可靠的产品与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STB120N4F6，让它为您的下一个创新项目注入强劲动力，开启高效、可靠的新篇章！

型号:STB120N4F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STB120N4F6正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流能力，其核心魅力在于惊人的4毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在极端条件下依然稳定可靠。无论是用于汽车电机驱动、电池保护开关，还是工业电源转换，它都能让您轻松实现更高的功率密度和更强的系统鲁棒性。选择STB120N4F6，就是为您的产品选择了经得起考验的卓越性能与持久耐力。