STL42P4LLF6

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在更小的空间内承载更高的电流，同时将发热和损耗降至最低？这正是STL42P4LLF6为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET F6系列中的佼佼者，这颗P沟道功率MOSFET以其卓越的性能参数，重新定义了高效率、高功率密度设计的可能性。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现精简、可靠与节能的关键引擎。

无论是紧凑型DC-DC转换器、负载开关，还是电池保护电路和电机驱动应用，STL42P4LLF6都能游刃有余。其高达42A的连续漏极电流和仅18毫欧的超低导通电阻，意味着在驱动大功率负载时，它能将宝贵的电能更多地用于驱动负载本身，而非无谓地转化为热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求，以及整个系统可靠性的显著提升。在空间受限的便携式设备、工业自动化模块或汽车电子系统中，它的价值尤为凸显。

选择STL42P4LLF6，就是选择了一种经过市场验证的稳健设计哲学。其坚固的PowerFlat 5x6封装不仅提供了优异的散热性能，还非常适合自动化表面贴装生产，助力您快速实现产品量产。高达175°C的结温工作范围，确保了它在苛刻环境下的稳定运行。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让这颗高效能芯片成为您产品竞争力的强大基石，开启能效与性能兼得的新篇章。

• 型号:STL42P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL42P4LLF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一款既能处理大电流又兼顾高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？STL42P4LLF6正是您理想的解决方案。它能让您的电源路径管理变得前所未有的轻松，凭借高达42A的电流承载能力和低至18毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升系统整体能效。

这颗芯片专为追求功率密度和可靠性的设计而生。其优化的栅极电荷和快速开关特性，让您能够构建响应更迅捷的电路；而坚固的PowerFlat封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种应用环境中都能稳定持久地工作。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。