STL24N60DM2

当您的下一个电源设计项目面临效率与尺寸的双重挑战时，您是否渴望找到一颗既能承载高压大电流，又能保持极低损耗与紧凑封装的“全能型”功率开关？答案就在STL24N60DM2。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和15A的连续电流，为您打开了高效能、高密度电源设计的新大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动这些要求严苛的应用场景中，STL24N60DM2能够大显身手。它卓越的MDmesh DM2技术，确保了在高压下依然拥有极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着更少的导通损耗和更低的温升，让您的系统运行更凉爽、更可靠。无论是应对频繁的开关动作，还是需要持续通过大电流，它都能稳定如一，为整个系统的能效提升和长期稳定运行奠定坚实基础。

选择STL24N60DM2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其创新的PowerFlat HV封装，在提供出色散热性能的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加紧凑、优雅。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松工作在更高频率，从而可以使用更小的磁性元件，进一步优化系统体积与成本。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅为您提供原装正品，更能提供专业的技术支持，帮助您将这颗芯片的性能发挥到极致。从原型设计到批量生产，让STL24N60DM2成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电源产品的信心之选。

• 型号:STL24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL24N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高压、大电流与紧凑空间的功率开关吗？STL24N60DM2正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和15A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh DM2技术让它在高压下依然保持超低的导通损耗，助您轻松实现更高的系统效率。

它采用先进的PowerFlat HV封装，在极小的占板面积内提供了卓越的散热性能，让您的电源设计可以更轻薄、更紧凑。更低的栅极电荷确保了快速的开关响应，能有效降低开关损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。无论是提升现有方案的性能，还是挑战全新的高密度设计，STL24N60DM2都是您可靠而强大的伙伴。