STH185N10F3-2

当您的下一代汽车动力总成或工业电源系统面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率器件，竟能成为释放性能、提升可靠性的关键钥匙？今天，我们为您带来的STH185N10F3-2，正是这样一款能够重新定义功率密度的卓越解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET F3技术的巅峰之作，专为应对严苛的汽车级（AEC-Q101）应用而精心打造。想象一下，在紧凑的空间内，实现高达180A的连续电流承载能力，同时将导通电阻压降至惊人的4.5毫欧，这意味着更低的传导损耗、更少的热量产生，以及最终极致的能源效率。这不仅仅是参数的提升，更是为您产品竞争力注入的强大动能。

它的舞台遍布于那些对可靠性与性能有着双重苛求的领域。在电动汽车的电机驱动控制器中，STH185N10F3-2能够轻松应对频繁的启停和高负载瞬变，确保动力输出平顺而强劲。在服务器电源和高端工业变频器里，其100V的漏源电压和优异的开关特性，为系统提供了稳定高效的功率转换核心，显著降低整体能耗。即便是在-55°C至175°C的极端结温范围内，它依然能稳定工作，这种与生俱来的坚固性，让您的设计在面对复杂环境挑战时充满信心。选择它，就是为您的关键系统选择了一位沉默而强大的守护者。

那么，为何众多领先厂商在为其高可靠性项目选型时，会青睐这款器件？答案在于其背后无与伦比的综合价值。STripFET F3技术带来了更优的栅极电荷（Qg）与导通电阻（Rds(on)）的权衡，这意味着在实现快速开关、减少开关损耗的同时，依然保持了极低的通态损耗。H2PAK-2封装不仅提供了卓越的散热性能，支持高达315W的功率耗散，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产流程，提升制造效率。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和久经考验的可靠性，使其在特定存量市场和仍有库存支持的高要求项目中，依然具有不可替代的价值。对于寻求稳定、高性能解决方案的工程师而言，通过值得信赖的ST中国代理获取原装正品与专业的技术支持，是确保项目成功的关键一步。让STH185N10F3-2成为您撬动更高能效与可靠性的支点，开启产品性能的新篇章。

• 型号:STH185N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH185N10F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STH185N10F3-2正是为您而来的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET F3技术，让您轻松驾驭高达180A的连续电流，而其低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低系统运行中的能量损耗，直接提升整体效率。

它专为汽车级（AEC-Q101）严苛环境打造，拥有100V的耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保在电动汽车驱动、工业电源等关键应用中稳定可靠。采用散热性能优异的H2PAK-2封装，帮助您的设计有效管理热量，实现更紧凑、更高效的电源解决方案。选择它，就是选择了一份经得起考验的性能承诺。