STL42N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL42N65M5技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾高效率与紧凑尺寸的功率开关器件时，STL42N65M5正是您期待已久的答案。这款来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和优化的动态特性，为您的产品注入强劲而可靠的核心动力。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和高效照明解决方案，STL42N65M5都能在其中扮演关键角色。它专为应对高压、高频的开关挑战而生，其低至79毫欧的导通电阻（RDS(on)）和精心优化的栅极电荷（Qg），意味着更低的传导损耗和开关损耗。这不仅直接提升了系统的整体效率，更能让您在散热设计上拥有更大的余量，从而简化结构、降低成本，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STL42N65M5，就是选择了一份经过验证的可靠性与前瞻性的技术视野。它采用了先进的PowerFlat HV封装，在提供高达208W（Tc）强大散热能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化、高功率密度的设计趋势。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高性能、高可靠性需求项目的理想选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行咨询与采购，他们能为您提供准确的库存信息与完善的供应链服务，保障您的项目顺利推进。让STL42N65M5成为您撬动能效巅峰的杠杆，开启电源设计的新篇章。

型号:STL42N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），208W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能同时征服高压与高频挑战的功率开关？STL42N65M5正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压屏障和仅79毫欧的低导通电阻，能显著降低您在电源转换过程中的能量损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了意法半导体先进的MDmesh V技术，通过优化的单元结构和栅极设计，实现了出色的开关性能与低栅极电荷。这意味着您可以轻松推动更高频率的工作模式，从而缩小磁性元件的体积，助力打造更紧凑、功率密度更高的电源模块。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的设计难题，STL42N65M5都是您值得信赖的伙伴。