STF34NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们为您介绍一款历经市场验证的经典功率解决方案STF34NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其600V的耐压能力和31.5A的连续漏极电流，为您的高压高功率应用注入强劲而稳定的心脏。它不仅仅是一个开关器件，更是提升整机效率、降低热管理复杂性的关键所在。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)的核心电路中，STF34NM60N正以其卓越的性能默默工作。它基于先进的MDmesh II技术，将低导通电阻（典型值低至105毫欧）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合，这意味着更低的传导损耗和开关损耗。在频繁启停的电机控制中，它能显著减少热量产生，提升系统响应速度；在要求7x24小时不间断运行的服务器电源里，它的高可靠性确保了整个数据中心的稳定基石。其TO-220FP封装提供了出色的散热能力与通孔安装的便利性，让您的设计在紧凑空间内也能游刃有余。

选择STF34NM60N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的工艺、广泛的应用验证以及市场上可观的库存，使其成为许多经典设计升级或维护项目的理想之选。它能够帮助您轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境挑战，确保产品在各种极端条件下依然表现如一。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术选型建议，让您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点，最终在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STF34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF34NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF34NM60N正是为此而生。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和31.5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗与优化的动态性能。

它能为您做什么？它让您轻松构建更高效、更可靠的电源与电机驱动系统。高达40W的功率耗散能力和优异的散热封装，确保了它在高负载下的稳定运行；而低至105毫欧的导通电阻和精心优化的栅极电荷，直接转化为更低的能量损耗和更快的开关速度，帮助您的终端产品提升能效，减少发热，从而延长使用寿命并降低系统总成本。