STS10P3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS10P3LLH6技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们为您介绍一个颠覆性的选择STS10P3LLH6。这款来自ST意法半导体的P沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET H6技术，将高性能与高密度完美融合，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在您的便携式设备、电池保护板或DC-DC转换器中，一颗芯片如何同时担当重任。STS10P3LLH6正是为此而生。其30V的漏源电压和高达10A的连续漏极电流，为负载开关、电机驱动和电源路径管理提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的12毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并延长了电池寿命。无论是需要频繁开关的移动电源，还是对温升敏感的车载充电器，它都能游刃有余，稳定运行。

选择STS10P3LLH6，就是选择了一份安心与高效。其仅33nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻松自如。表面贴装的8-SO封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定发挥。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，联系专业的ST代理商，将是您获取这颗明星芯片并启动成功设计的最佳途径。让STS10P3LLH6成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效新纪元。

型号:STS10P3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在寻找一颗能兼顾高效率、低损耗与紧凑尺寸的P沟道MOSFET吗？STS10P3LLH6正是您的理想答案。它基于先进的STripFET H6技术打造，拥有30V/10A的强劲规格，其超低的12毫欧导通电阻能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的负载开关、电机控制或DC-DC转换电路效率飞升。极低的栅极电荷（33nC）确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，轻松应对高频应用。采用节省空间的8-SO封装，帮助您实现更小巧、更集成的产品设计。选择STS10P3LLH6，就是选择了一条通往更高性能、更可靠电源管理的捷径。