STFI11N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能在高压环境下稳定输出、同时将损耗降至最低的功率器件？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFI11N60M2-EP。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和7.5A的连续漏极电流，专为应对严苛的工业环境而生。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统整体能效、确保长期稳定运行的可靠基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，稳定的高压开关和高效的能量转换是何等重要。STFI11N60M2-EP正是为此类场景量身打造。其I2PAK-FP封装提供了优异的散热性能和机械强度，确保在持续高负载下也能保持冷静运行。这意味着您的设备可以更安静、更持久地工作，大幅降低因过热导致的故障风险，从而赢得终端用户对产品品质的绝对信任。

选择STFI11N60M2-EP，意味着您选择了一份源自ST意法半导体的深厚技术积淀与质量承诺。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和可靠性已在无数成功应用中得到了充分验证。对于仍在运行或维护中的经典设计，它依然是确保供应链延续性和系统一致性的关键组件。我们建议您通过官方授权的ST代理渠道咨询库存与替代方案，以获得专业的技术支持与供货保障，让您的产品生命周期管理更加从容、高效。

• 型号:STFI11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI11N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的核心开关器件吗？STFI11N60M2-EP正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流，让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动等高压应用场景，实现高效的能量转换与精准的功率控制。

它采用坚固的I2PAK-FP封装，散热性能出众，能有效降低系统热阻，确保在长时间高负荷运行下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳健的“心脏”，显著提升整体能效与长期运行寿命，助您打造出更具市场竞争力的高端电源解决方案。