STFI13N95K3

当您需要一款能够在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就隐藏在那些关键的电气参数背后。今天，我们向您隆重介绍一款来自意法半导体SuperMESH3家族的经典功率器件STFI13N95K3。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、坚固电力系统的基石，其高达950V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，意味着它能从容应对工业电源、电机驱动、UPS等应用中的高压冲击和持续负载，为您的设计带来前所未有的安心保障。

想象一下，在服务器电源的PFC（功率因数校正）电路中，或在电焊机、变频空调的功率模块里，电压尖峰和热应力是常态。STFI13N95K3凭借其先进的SuperMESH3技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于850毫欧）与出色的开关特性平衡。这不仅直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，也显著减少了发热量，提升了系统的长期可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，更是为恶劣工业环境下的稳定运行上了双保险。

选择STFI13N95K3，就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳健。虽然其零件状态标注为“停产”，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的性能在过往的岁月中赢得了无数工程师的信赖，并在许多关键应用中建立了稳固的生态。对于仍在维护或生产相关经典设计的您而言，它意味着无需重新设计验证的便捷与成本节约。同时，通过值得信赖的ST中国代理渠道，您依然可以获取到可靠的货源与专业的技术支持，确保您的供应链稳定与项目顺利进行。让这颗承载着ST尖端工艺与可靠基因的功率芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的强大心脏。

• 型号:STFI13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI13N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STFI13N95K3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有高达950V的击穿电压和10A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，能够轻松应对高压环境，同时保持系统的高效与稳定。

它采用了先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻极低，这意味着更少的能量以热的形式浪费，显著提升了整体能效。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关性能，让您的电源转换更加高效流畅。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，是您构建坚固耐用电力系统的理想选择。