STFU13N65M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STFU13N65M2。这颗650V、10A的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的MDmesh M2技术，将高耐压与低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动器中，STFU13N65M2能够大显身手。其高达650V的漏源击穿电压，轻松应对严苛的电网环境和高电压应力，确保系统稳定可靠。在频繁开关的PFC（功率因数校正）或LLC谐振拓扑中，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源轻松突破能效瓶颈，满足80 PLUS钛金等严苛标准。无论是追求极致功率密度的紧凑型设计，还是需要长时间满载运行的工业设备，它都能游刃有余。

选择STFU13N65M2，就是选择了一份安心与高效。其TO-220FP封装在提供出色散热性能的同时，也兼顾了安装便利性。高达150°C的结温工作能力，赋予了系统更强的过载和热冗余。更低的导通电阻（Rds(on)）直接转化为更少的导通损耗和更低的温升，这不仅提升了效率，也简化了散热设计，让您的产品更凉爽、更安静、寿命更长。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了原厂正品渠道和专业的本地化服务，为您的量产之路保驾护航。立即采用STFU13N65M2，让它成为您下一代高性能电源设计的核心动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STFU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STFU13N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关吗？STFU13N65M2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的MOSFET，拥有650V的高耐压和仅430毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的能效等级。

它集低栅极电荷、高工作结温和坚固的TO-220FP封装于一身，不仅让您的设计更高效，还能简化散热管理，提升系统功率密度和长期可靠性。选择STFU13N65M2，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。