STV270N4F3

当您的下一代高功率密度设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗MOSFET的微小改进，就能为整个系统带来颠覆性的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族中的性能猛兽STV270N4F3。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能、高可靠性电源解决方案的终极钥匙。凭借其惊人的270A连续漏极电流承载能力和低至1.5毫欧的导通电阻，它能在极低的损耗下处理巨大的功率流，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统整体效率，以及更紧凑、更凉爽的设计成为可能。

想象一下，在服务器电源、高性能计算单元、工业电机驱动或新能源车的车载充电器中，功率转换环节的效率每提升0.5%，都意味着可观的能源节约和系统稳定性的巨大跃升。STV270N4F3正是为此类严苛应用而生。其高达40V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保它在各种复杂工况下都能稳定如山。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在高温环境下持续运行，它都能提供卓越的可靠性，让您的产品在市场竞争中底气十足。选择与我们合作，您将直接对接ST一级代理，获得从选型支持到稳定供货的全方位保障。

那么，在众多功率器件中，为何STV270N4F3能脱颖而出？答案在于其卓越的综合性能与易用性的完美平衡。极低的栅极电荷（150nC）和输入电容，意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源设计可以追求更高的频率和更小的磁性元件。采用10-PowerSO封装，在提供强大散热能力（最大功耗300W）的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性。这颗芯片的价值，不仅在于其纸面参数，更在于它如何将ST意法半导体先进的STripFET III技术，转化为您产品中实实在在的竞争优势更高效、更可靠、更具市场吸引力。现在就让它成为您下一个成功设计的核心动力吧！

• 型号:STV270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 现在可以订购STV270N4F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的功率开关而烦恼吗？STV270N4F3 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于意法半导体成熟的STripFET III技术，为您带来高达270A的电流处理能力和低至1.5毫欧的导通电阻，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能轻松驾驭服务器电源、高性能DC-DC转换器、工业逆变器等关键任务。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让您能实现更快的开关速度，从而设计出频率更高、体积更小的电源模块。宽广的工作温度范围和强大的功率耗散能力，则确保了它在最苛刻环境下的持久稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。