STB32N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB32N65M5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？是时候认识一下这颗能彻底改变游戏规则的功率开关器件了STB32N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V系列技术的集大成者，为您带来前所未有的高效率与可靠性。想象一下，在650V的高压下，它依然能保持极低的导通损耗，这意味着更少的能量以热能形式浪费，您的系统将运行得更凉爽、更持久，整体能效表现直接跃升一个台阶。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源车载充电器，STB32N65M5都能完美融入，成为您设计中的核心动力。其高达24A的连续电流处理能力和优化的开关特性，让它在高频开关应用中游刃有余，轻松应对严苛的工业环境挑战。选择它，就是为您的产品注入了稳定与高效的基因，确保在激烈的市场竞争中，您的设备在性能与成本之间找到了最佳平衡点。

为什么众多领先的设计师都将目光投向STB32N65M5？答案在于其无可比拟的价值组合。极低的119毫欧导通电阻直接转化为更低的传导损耗，而优化的栅极电荷则显著降低了开关损耗，这两者的结合是实现超高效率的关键。同时，其坚固的D2PAK封装确保了卓越的散热能力和机械可靠性，让您的设计无惧高温考验。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位协助。选择STB32N65M5，不仅是选择了一颗顶级的功率MOSFET，更是选择了一个值得信赖的合作伙伴，共同开启高效、可靠电源解决方案的新篇章。

型号:STB32N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STB32N65M5为您带来改变。这颗基于先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和24A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅119毫欧）和优化的开关特性。这意味着它能显著降低您系统中的传导与开关损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS及新能源充电设备等高要求应用。优异的散热设计（150W功率耗散）和宽广的工作温度范围（高达150°C结温），确保了其在恶劣环境下的长期稳定运行。选择STB32N65M5，就是为您的下一个高效、紧凑且可靠的设计项目，找到了一个强大的动力核心。