STB34N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB34N65M5技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否在寻找一个既能扛住高压冲击，又能保持冷静高效的解决方案？今天，我们为您带来的STB34N65M5，正是意法半导体MDmesh V系列中的一颗明星功率MOSFET，它用650V的坚固耐压和28A的强大电流处理能力，直接回应了这些挑战。它不仅是一个元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或不断电系统(UPS)的核心电路中，能量转换的每一瞬间都至关重要。STB34N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，这意味着在相同的电流下，芯片自身的能耗和发热大幅减少。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则让开关速度更快、损耗更小，使得整个系统能够在更高的频率下稳定运行，从而帮助您设计出体积更小巧、效率更卓越的电源模块。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致的能效标准，它都能游刃有余。

选择STB34N65M5，就是选择了一份可靠与高效的保障。其高达190W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，确保了它在高负荷下的长期稳定性和耐久度。表面贴装D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径。当您需要稳定、高品质的意法半导体产品供应与技术支援时，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB34N65M5成为您下一个成功设计的强大心脏，释放系统潜能，赢得市场先机。

型号:STB34N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？STB34N65M5 N沟道功率MOSFET正是为您而来的高效解决方案。它基于意法半导体领先的MDmesh V技术，拥有650V高耐压和28A大电流承载能力，核心优势在于其极低的导通电阻（110mΩ）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和功率密度。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计服务器电源、工业驱动、太阳能逆变器或UPS等高压应用时，能够构建出更紧凑、更可靠的功率级。其优异的开关特性有助于简化驱动电路设计，而卓越的散热性能（190W耗散）则确保了系统在高温环境下的长期稳定运行。选择STB34N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。