STH110N8F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH110N8F7-2技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体STripFET F7系列中的明星产品STH110N8F7-2，一款重新定义80V功率MOSFET性能边界的卓越器件。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关都意味着能量的损耗与热量的积累。STH110N8F7-2凭借其革命性的低导通电阻，在55A电流、10V驱动电压下，Rds(on)最大值仅为6.6毫欧，这意味着更低的传导损耗，更多的电能被有效输送到负载，而非转化为无用的热量。其高达110A的连续漏极电流承载能力和170W的功率耗散能力，让它在应对峰值负载和恶劣工况时游刃有余，确保系统稳定如山。无论是面对新能源车车载充电器(OBC)的严苛要求，还是通信基站电源的24/7不间断运行，它都能提供坚如磐石的性能保障。

选择STH110N8F7-2，就是选择了一份面向未来的投资。其极低的栅极电荷（Qg仅45nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统可以在更高频率下工作，从而允许使用更小、更轻的磁性元件和滤波电容，最终实现电源模块体积和成本的双重优化。H2PAK-2表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，还简化了生产流程，提升了制造良率。从-55°C到175°C的广阔工作结温范围，确保了它在极端环境下依然可靠。当您需要获取样品或进行批量采购时，遍布全球的授权ST代理商网络将为您提供专业、及时的技术与供应链支持。让STH110N8F7-2成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效能源新时代。

制造商产品型号：STH110N8F7-2
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：STripFET F7
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80V
25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 55A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：170W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：H2Pak-2
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STH110N8F7-2正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的STripFET F7技术，旨在让您的电源设计突破瓶颈。

这颗N沟道MOSFET拥有80V的漏源电压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值远低于6.6毫欧），能显著减少传导损耗，让系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让您能够轻松实现更高频率的开关，从而缩小外围元件尺寸，打造出更紧凑、更具成本竞争力的电源模块。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高密度电源，它都能让您的产品性能脱颖而出。