STH140N6F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH140N6F7-2技术参数详情：

当您的电源系统需要同时应对高功率密度和严苛的效率挑战时，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又具备卓越开关性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体的新一代功率解决方案STH140N6F7-2，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统能效、实现设计突破的强力引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STH140N6F7-2凭借其N沟道设计和高达80A的连续漏极电流能力，能够轻松驾驭大功率能量流。其核心秘密在于采用了先进的STripFET VII技术与DeepGATE工艺，这使得它在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）低至惊人的3毫欧（在40A条件下）。更低的导通损耗意味着更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命。无论您的应用环境多么复杂，其高达175°C的结温（TJ）和158W的功率耗散能力，都确保了无与伦比的可靠性与稳定性。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它真正赋能于广泛的应用场景。在新能源领域，它是光伏逆变器和车载充电机中实现高效能量转换的关键；在高端计算领域，它为数据中心电源模块提供强劲且冷静的动力核心；在自动化设备中，它驱动着电机精准、高效地运转。其H2PAK-2封装不仅优化了散热性能，也为表面贴装生产带来了便利，助力您加速产品上市进程。选择STH140N6F7-2，就是选择了一种面向未来的设计理念在更小的空间内，以更低的损耗，释放更大的能量。

为何众多领先企业都将STH140N6F7-2作为其高可靠性设计的首选？理由清晰而有力。极低的栅极电荷（Qg仅40nC）与输入电容，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得游刃有余，系统整体效率再上新台阶。其坚固的Vgs耐受能力（±20V）提供了额外的设计余量和安全保障。当您携手值得信赖的ST代理商，您获得的不仅是一颗顶级性能的芯片，更是从技术支援到稳定供应链的全方位保障。立即采用STH140N6F7-2，让它成为您下一个明星产品的“心脏”，共同定义能效新标准！

型号:STH140N6F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:158W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题寻找终极解决方案吗？STH140N6F7-2正是为您而来的答案。这颗基于先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻，能大幅削减导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

它专为应对严苛挑战而生。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器和新能源逆变器，STH140N6F7-2都能凭借其优异的开关特性（低栅极电荷）和强大的散热能力（H2PAK-2封装，结温175°C），确保系统在高负载下依然稳定、高效、可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“芯”。