STH170N8F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH170N8F7-2技术参数详情：

想象一下，在您的下一个高功率密度设计中，如何将系统效率再提升一个台阶，同时将散热挑战降至最低？答案或许就藏在STH170N8F7-2这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、可靠、紧凑型电源解决方案的关键赋能者。源自意法半导体备受赞誉的STripFET F7技术平台，这款N沟道MOSFET以其极低的导通电阻和卓越的开关性能，正在重新定义80V电压等级下的功率处理标准。

当您面临服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或新能源车载充电机（OBC）等应用时，STH170N8F7-2的价值将得到淋漓尽致的展现。它高达120A的连续漏极电流能力和仅3.7毫欧的超低导通电阻，意味着在传导路径上的损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了整机效率，更减轻了散热系统的负担，让您的产品设计可以更加紧凑，或在同等体积下实现更高的功率输出。其坚固的H2PAK-2封装专为高功率表面贴装应用优化，提供了出色的热性能和功率循环能力，确保在严苛的工业温度范围（-55°C至175°C）内稳定工作。

选择STH170N8F7-2，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。它平衡了栅极电荷与导通电阻的经典关系，在实现快速开关以减少开关损耗的同时，保持了极低的导通损耗，这种平衡对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。无论是为了追求能源之星认证的更高标准，还是为了在激烈的市场竞争中凭借更高的功率密度和可靠性脱颖而出，这颗芯片都是您理想的技术伙伴。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅为您提供原装正品保障和具有竞争力的供货支持，更能提供深度的技术咨询，帮助您将这颗强大芯片的潜力完全释放，加速您的产品上市进程，赢得市场先机。

型号:STH170N8F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STH170N8F7-2为您带来变革性的解决方案。这颗基于先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于仅3.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，直接提升您的系统效率并简化散热设计。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC模块等高要求场景。优异的开关特性（栅极电荷仅120nC）与稳健的H2PAK-2封装相结合，确保了在高频开关下的高效与可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心基因，助您在竞争中脱颖而出。