STH180N10F3-6

当您的下一代电源系统设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STH180N10F3-6之中。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压和高达180A的连续漏极电流能力，重新定义了高效功率转换的边界。它不仅仅是一个开关，更是您释放系统潜能、突破性能天花板的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，能量损耗每降低一分，带来的就是整体系统可靠性的跃升和运营成本的显著下降。STH180N10F3-6正是为此而生。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下，仅4.5毫欧的Rds(on)值，意味着在承载大电流时，导通损耗被压缩到极致。配合高达315W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，它能从容应对严苛环境下的持续高负荷挑战，确保您的设备稳定运行，无惧热考验。

选择STH180N10F3-6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它继承了STripFET III技术的全部精华，通过优化的单元结构和先进的工艺，在开关速度与导通性能之间取得了完美平衡。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定高性能、高可靠性需求领域依然极具价值。对于正在寻找成熟、强大解决方案的工程师而言，它代表着一个时代的性能标杆。如需获取相关库存或替代咨询，可以联系专业的ST中国代理，他们能为您提供全面的技术支持与供应链服务。让这颗强大的“动力芯”成为您经典设计中不可或缺的基石，助力您的产品在效率、功率密度和可靠性上持续领先。

• 型号:STH180N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH180N10F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？STH180N10F3-6就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和180A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于惊人的低导通电阻（仅4.5mΩ），能显著降低您在电源转换或电机驱动应用中的导通损耗，直接提升系统整体效率。

它采用先进的STripFET III技术，让您轻松实现高效、低温升的功率管理。无论是面对工业环境的严酷温度挑战（工作结温高达175°C），还是需要处理高达315W的功率耗散，它都能稳健应对。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠的心脏，让功率路径更顺畅，性能释放更彻底。