STH185N10F3-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH185N10F3-6技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率密度与系统稳定性之间的平衡而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STH185N10F3-6。这款源自意法半导体STripFET F3系列的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了100V电压等级下的功率处理能力。想象一下，在紧凑的空间内，实现高达180A的连续电流承载，同时将导通损耗降至最低，这不仅仅是参数的提升，更是为您产品竞争力注入的强劲动力。

无论是面对严苛的汽车引擎控制单元、高效的新能源车载充电机（OBC），还是要求瞬态响应极快的DC-DC转换器与电机驱动，STH185N10F3-6都能游刃有余。其专为汽车级（AEC-Q101）应用打造的血统，意味着它从设计之初就经历了最严格的可靠性验证，能够在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，无畏环境挑战。当您的设计需要应对频繁的启停、高浪涌电流时，这颗芯片极低的4.5毫欧导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg），能显著减少开关损耗与热生成，让系统运行更凉爽、更持久，直接提升终端产品的寿命与口碑。

选择STH185N10F3-6，就是选择了一份安心与前瞻性。尽管其零件状态标注为停产，但在特定库存和替代方案规划中，它依然代表了同级别中的高性能标杆，其设计理念和性能参数为后续选型提供了明确的方向。它采用的H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，便于实现紧凑的布局，更能满足高功率密度设计的迫切需求。当您携手专业的ST芯片代理伙伴，不仅能获取关于此型号库存或升级替代方案的专业建议，更能获得从选型支持到供应链保障的全方位服务。让STH185N10F3-6所承载的高效率、高可靠性基因，成为您下一代功率系统设计中不可或缺的核心优势，助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得先机。

型号:STH185N10F3-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:315W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STH185N10F3-6正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4.5毫欧。这意味着在您的大电流应用（如电机驱动、电源转换）中，它能大幅降低导通损耗，直接将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量，让您的系统效率轻松跃升。

不仅如此，它源自意法半导体成熟的STripFET F3技术与汽车级（AEC-Q101）品质标准，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性与稳定性。优化的栅极电荷设计让开关速度更快，损耗更低，助您构建响应迅速、运行安静的功率电路。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。