STH240N75F3-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH240N75F3-6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够同时驾驭180A大电流与75V电压，却将导通电阻牢牢控制在3毫欧以下的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们带来的STH240N75F3-6，正是这样一款源自ST意法半导体STripFET III家族的划时代N沟道MOSFET，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统竞争力、解锁更高功率密度的关键钥匙。

当您面对服务器电源、高性能工业电机驱动或新能源车车载充电机(OBC)等严苛应用时，传统的功率器件往往在效率与温升之间难以两全。而STH240N75F3-6凭借其革命性的低导通电阻（Rds(on)）与极低的栅极电荷（Qg），能显著降低导通损耗和开关损耗，这意味着在相同的输出功率下，您的系统发热更少，效率更高，甚至可以省去部分复杂的散热结构，让整体设计更加紧凑、可靠。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在最恶劣的环境下也能稳定运行，赋予您的产品无与伦比的鲁棒性。

选择STH240N75F3-6，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用的H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能和更高的功率密度，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程，能有效提升您的生产效率和产品一致性。更重要的是，与市场上同类产品相比，它在高电流下的性能表现尤为突出，能帮助您轻松应对瞬态负载冲击，提升系统动态响应。若您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们作为专业的ST一级代理，不仅能确保原装正品的供应，更能为您提供从选型到应用的全方位支持，让您的创新之路再无后顾之忧。立即采用STH240N75F3-6，让它成为您下一代高能效、高可靠性电源与驱动方案的强大心脏。

型号:STH240N75F3-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热挑战烦恼吗？让STH240N75F3-6为您开启高效节能的新篇章。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了STripFET III先进技术，拥有75V耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让开关速度更快，损耗更小，配合H2PAK-6封装出色的散热性能，轻松应对300W的功率耗散。无论是用于数据中心服务器电源、工业自动化设备，还是新能源领域的车载充电，它都能让您轻松实现更高的功率密度和系统可靠性，显著提升终端产品的市场竞争力。