STP80N10F7

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP80N10F7。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的100V耐压和高达80A的连续电流承载能力，正在重新定义中高功率应用的效率标准。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、可靠运行的强大心脏。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗和热量的产生。STP80N10F7凭借其先进的STripFET VII技术和DeepGATE结构，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的10毫欧（在40A，10V条件下）。这意味着更低的导通损耗，更少的能量以热量形式浪费，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久。其高达110W的功率耗散能力，配合TO-220封装带来的优秀散热特性，确保了即使在严苛的工况下也能稳定输出。

无论是面对电动汽车充电桩中需要快速响应的功率模块，还是UPS不间断电源中要求极高可靠性的逆变单元，STP80N10F7都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，系统整体频率得以提升。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是赋予了它应对极端环境挑战的底气，从酷热的户外设备到严寒的工业现场，性能始终如一。

选择STP80N10F7，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高效与安宁。它让您的设计摆脱平庸，在激烈的市场竞争中凭借更高的能效和更可靠的品质脱颖而出。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，请务必联系您信赖的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STP80N10F7，为您的下一个功率级设计注入澎湃而高效的动力！

• 型号:STP80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP80N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP80N10F7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET是ST意法半导体功率器件家族的明星，它能轻松驾驭高达80A的连续电流和100V的电压，核心使命就是让您的电源转换、电机控制等应用运行得无比高效、冷静。

它采用先进的STripFET VII技术，导通电阻低至10毫欧，这意味着在导通状态下能量损耗极低，更多电能被有效利用，而非转化为恼人的热量。同时，优化的栅极特性让您能更轻松地驱动它，实现快速、干净的开关动作，从而提升系统整体频率和响应速度。

无论是构建更紧凑的工业电源，还是设计更可靠的电机驱动板，STP80N10F7都能以其卓越的电气性能和坚固的TO-220封装，为您提供坚实的保障，让您的产品在能效和可靠性上赢得关键优势。