STH245N75F3-6

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为寻找一款能在高温、高电流下依然保持稳定低损耗的功率开关而烦恼？想象一下，一个关键元件就能显著提升整个系统的能效和可靠性，这正是STH245N75F3-6为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F3汽车级家族的明星成员，它专为应对严苛挑战而生，将卓越的性能与坚固的可靠性融为一体，是工程师实现设计突破的得力助手。

当您需要驱动大功率电机、设计高效的DC-DC转换器或构建可靠的电池管理系统时，这款N沟道MOSFET的强大实力便展露无遗。其高达180A的连续漏极电流和仅3毫欧的超低导通电阻，意味着在传导路径上的能量损耗被降至极低，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的运行时间、更低的发热量以及更紧凑的散热设计。无论是新能源汽车的电驱系统、工业自动化设备中的伺服驱动，还是不断电电源（UPS）的核心功率模块，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

选择STH245N75F3-6，不仅仅是选择了一个参数优秀的晶体管，更是选择了一份来自顶级制造商的质量承诺和长期的设计保障。其符合AEC-Q101标准，确保它能从容应对汽车应用的振动、高温和可靠性要求，工作温度范围宽达-55°C至175°C，赋予了产品无与伦比的环境适应性。尽管该型号已停产，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得有保障的货源，用于现有产品的维护升级或特定批次的生产，确保项目供应链的连续性。它的H2PAK-6封装也为高功率密度设计提供了优秀的散热和焊接可靠性。让这颗历经市场验证的芯片，成为您打造高效、耐用且具有竞争力的电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STH245N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH245N75F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大功率开关重任，同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STH245N75F3-6正是为此而生。这颗75V/180A的N沟道MOSFET，凭借其惊人的3毫欧超低导通电阻，能大幅降低您在开关和传导过程中的能量损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它基于先进的STripFET F3技术，并满足严苛的汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，为您带来卓越的可靠性和耐用性。无论是驱动电机、管理电池还是构建电源模块，它都能让您轻松应对高电流挑战，实现更紧凑、更高效的设计方案。