STW54NK30Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW54NK30Z技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否仍在为功率器件的导通损耗和开关性能而权衡取舍？现在，让我们向您介绍一个能够打破这一困局的卓越解决方案STW54NK30Z。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其革命性的SuperMESH技术，将高耐压、大电流与超低导通电阻完美融合，为您的高功率应用注入澎湃而高效的动力核心。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率UPS或新能源充电桩等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理数百伏的电压和数十安培的电流。STW54NK30Z正是为此而生。其300V的漏源电压和高达54A的连续漏极电流承载能力，为系统提供了坚固的安全边际。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的60毫欧，这意味着在相同的功率输出下，芯片自身的发热量被大幅抑制，直接提升了整机效率与可靠性，让您的设备在长时间高负荷运行中依然保持“冷静”。

选择STW54NK30Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用坚固的TO-247-3封装，散热性能优异，安装便捷。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在升级换代或特定需求项目中依然极具价值。为了确保您能获取到可靠的正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行咨询与采购。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率芯片，成为您下一个成功产品的强大心脏，助您轻松驾驭高功率挑战，赢得市场先机。

型号:STW54NK30Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:221 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4960 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
现在可以订购STW54NK30Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持极低损耗的功率开关吗？STW54NK30Z正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有300V耐压和54A的强劲电流处理能力，而其核心魅力在于10V驱动下仅60毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它专为要求严苛的高功率场景优化，无论是工业电源、电机控制还是能源转换系统，STW54NK30Z都能提供稳定可靠的性能。其优化的栅极电荷和坚固的TO-247封装，让您在设计时更容易驱动，并拥有出色的散热表现，从而简化您的热管理设计，助力您轻松构建更紧凑、更可靠的下一代功率产品。