STP31N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP31N65M5技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP31N65M5。这颗来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其卓越的MDmesh V技术，将650V的耐压能力与仅148毫欧的超低导通电阻完美结合，为您打开了高效能源转换的新大门。想象一下，在电源适配器、工业电机驱动或光伏逆变器的核心电路中，每一次开关都更迅速、更干净，带来的不仅是能耗的显著降低，更是系统整体寿命和稳定性的飞跃式提升。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求轻巧便携的消费电子应用，STP31N65M5都能游刃有余。它高达22A的连续漏极电流和150W的强大功率处理能力，让它在服务器电源中保障数据中心的稳定运行，在电动车充电桩中实现快速高效的能量传输，在LED照明驱动中确保光亮持久而节能。其TO-220的经典封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让您的产品设计在性能和可制造性之间找到最佳平衡点。选择它，意味着为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

为什么众多领先厂商都信赖并选择STP31N65M5？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（仅45nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为系统整体效率的提升。高达150°C的结温工作能力，提供了充足的设计余量和在高温环境下稳定运行的信心。这不仅仅是更换一个元件，而是对您产品竞争力的一次战略性升级。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和充足的货源支持，更能提供专业的技术选型指导和全方位的服务，助您将这颗芯片的潜力发挥到极致，在市场竞争中率先冲线。

型号:STP31N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心引擎”吗？STP31N65M5正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高压耐受能力和22A的强大电流吞吐量，其创新的MDmesh V技术带来了低至148毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器应用轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能的利器。极低的栅极电荷确保快速干净的开关动作，而TO-220封装则提供了卓越的散热性能。无论是面对工业级的严苛挑战，还是消费电子对尺寸和效率的双重要求，STP31N65M5都能让您的设计游刃有余，高效运行，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。