STH260N6F6-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH260N6F6-2技术参数详情：

想象一下，您的下一代电源系统或电机驱动方案，能否在保持紧凑体积的同时，承载高达180A的连续电流，并将导通损耗降至最低？这正是STH260N6F6-2为您带来的核心价值。作为意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术的集大成者，这颗功率MOSFET重新定义了60V电压等级下的性能标杆。其惊人的2.4毫欧超低导通电阻（RDS(on)），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化。

无论是面对工业自动化中要求严苛的伺服驱动器、不断追求功率密度极限的通信电源，还是新能源汽车中至关重要的DC-DC转换与电池管理系统，STH260N6F6-2都能游刃有余。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在最恶劣的环境下依然稳定可靠。H2PAK-2封装不仅提供了卓越的散热性能，其表面贴装形式也完美契合现代高密度PCB设计的需求，让您的产品在性能与尺寸之间找到最佳平衡点。

选择STH260N6F6-2，就是选择了一份由尖端技术背书的高效与可靠。其优化的栅极电荷（Qg）特性，配合±20V的宽栅极电压范围，让驱动电路设计更为灵活高效，有效降低了开关损耗，提升了系统整体频率响应。这意味着您的设备不仅能“跑得快”，更能“跑得稳”、“跑得久”。当您需要将这样的顶级性能集成到您的设计中时，与一家可靠的ST芯片代理合作至关重要，他们能为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。让STH260N6F6-2成为您产品竞争力的强大引擎，开启高效电能转换的新篇章。

型号:STH260N6F6-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STH260N6F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高电流应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STH260N6F6-2正是为您破局而来的利器。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的耐压和高达180A的连续电流承载能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的仅2.4毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接为您提升系统效率，并让散热设计变得前所未有的轻松。

它专为要求严苛的高功率密度应用而生。无论是伺服驱动、大功率DC-DC转换，还是电池管理，其优化的动态参数和H2PAK-2封装都能确保高效、可靠的开关性能。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，让您在激烈的市场竞争中赢得关键的能效优势。