STL75N8LF6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL75N8LF6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在80V电压下稳定承载75A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的7.4毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。现在，STL75N8LF6将这一想象变为现实，它基于意法半导体先进的STripFET VI和DeepGATE技术，专为挑战高性能应用的极限而生。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断小型化的车载充电器（OBC），STL75N8LF6都能游刃有余。其PowerFlat（5x6）封装在提供强大功率处理能力的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计在性能和体积上取得完美平衡。面对-55°C至175°C的宽广工作结温范围，无论是严寒还是酷热的环境，它都能稳定运行，保障终端产品的可靠性。

选择STL75N8LF6，就是选择了一种经过验证的高性能解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计轻松迈向更高频率，从而使用更小的磁性元件。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得稳定的库存和支持，为现有产品的持续生产或升级维护提供坚实保障。让STL75N8LF6成为您高性能蓝图中的核心动力，释放每一瓦特的潜能。

型号:STL75N8LF6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:+21V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6895 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
现在可以订购STL75N8LF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高效率与高功率密度的“心脏”吗？STL75N8LF6 N沟道MOSFET正是为您的高要求应用量身打造。它拥有80V的耐压和高达75A的连续电流承载能力，其核心价值在于超低的7.4毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计轻松应对大电流开关任务。得益于STripFET VI技术，它在10V驱动电压下即可实现优异的性能，配合低至125nC的栅极电荷，确保了极快的开关响应，从而减少开关损耗，提升整体能效。其紧凑的PowerFlat封装不仅节省空间，更优化了散热路径，让您在高功率应用中也能实现紧凑的布局。