STH270N4F3-2

当您的下一代汽车电子系统需要同时应对高功率密度与严苛环境挑战时，什么样的功率器件才能成为您设计中的可靠基石？答案或许就隐藏在STH270N4F3-2这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体STripFET III技术家族的杰出代表，专为满足汽车级AEC-Q101标准的严苛要求而生，旨在为工程师提供超越期待的功率处理解决方案。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元、车载DC-DC转换器或是智能配电模块中，电流如江河般奔涌。STH270N4F3-2凭借其高达180A的连续漏极电流承载能力和仅1.7毫欧的超低导通电阻，能够显著降低系统在高压大电流工作状态下的导通损耗。这意味着更少的能量以热的形式浪费，更高的整体能效，以及系统可以运行得更凉爽、更持久。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了无论是冰天雪地还是引擎舱内的高温环境，它都能稳定如一地工作，为您的产品可靠性加上一道坚实的保险。

选择STH270N4F3-2，就是选择了一种面向高性能与高可靠性的设计哲学。它采用先进的HPAK封装，不仅提供了优异的散热性能以支持300W的功率耗散，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，助力您提升制造效率。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和设计理念依然为特定存量项目或寻找可靠替代方案的工程师提供了重要参考。在寻找此类经典高性能器件时，通过值得信赖的ST代理渠道进行咨询与采购，是确保获得正品支持与专业服务的关键一步。让这颗凝聚了尖端技术的功率开关，成为您攻克下一个设计难题的得力助手。

• 型号:STH270N4F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• 现在可以订购STH270N4F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、散热强的功率开关吗？STH270N4F3-2正是为此而生。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有180A的强大电流处理能力和低至1.7毫欧的导通电阻，能显著提升您电源系统或电机驱动方案的效率，让能量传输更直接、损耗更小。

它采用优化的HPAK封装和先进的STripFET III技术，确保在高功率运行时依然保持出色的热管理性能，最高结温可达175°C。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更高的功率密度，同时无需过分担忧散热问题。无论是用于车载充电器、DC-DC转换还是各类功率控制模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。