STH275N8F7-2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH275N8F7-2AG技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为系统效率的微小提升而绞尽脑汁？每一次开关损耗的降低，都意味着更长的续航、更低的发热和更强的竞争力。现在，答案就在STH275N8F7-2AG这颗性能猛兽之中。它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是您实现产品性能飞跃的关键引擎。想象一下，在80V的电压平台上，能够持续承载高达180A的电流，而导通电阻却低至惊人的2.1毫欧，这意味着在每一次电流通过时，能量都以近乎无损的方式被高效传递，将宝贵的电能最大限度地转化为您需要的动力，而不是恼人的热量。

这种卓越的性能，让STH275N8F7-2AG天生就是为高要求应用场景而生的。无论是正在快速迭代的电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，还是对可靠性有着严苛标准的工业电机驱动和UPS不间断电源，甚至是需要大功率密集输出的服务器电源和焊接设备，它都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规级认证的身份，更是为您的汽车电子项目提供了从设计到量产的全程信心保障。在-55°C到175°C的广阔结温范围内稳定工作，确保您的设备无论面对严寒还是酷暑，都能持续输出澎湃而稳定的动力。

选择STH275N8F7-2AG，就是选择了一套经过市场验证的高性能解决方案。它源自意法半导体备受赞誉的STripFET F7技术平台，这一平台以极低的栅极电荷(Qg)和优异的开关特性著称，能显著降低开关损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。其H2PAK-2封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达315W的功率耗散，也为自动化生产带来了便利。当您致力于打造下一代高性能电源或驱动系统时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功的重要基石。

型号:STH275N8F7-2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:315W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案脱颖而出的“心脏”吗？STH275N8F7-2AG正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至2.1毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它能让您轻松应对汽车电驱、大功率DC-DC转换、服务器电源等严苛应用。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，进一步削减开关损耗，让整体能效表现更加出色。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。