STH290N4F6-6AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH290N4F6-6AG技术参数详情：

想象一下，当您的下一代汽车电源系统或工业电机驱动方案需要同时应对高功率密度和严苛环境挑战时，什么样的核心开关器件才能让您高枕无忧？答案就藏在STH290N4F6-6AG这颗性能猛兽之中。它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是意法半导体STripFET技术皇冠上的明珠，专为要求极致效率与可靠性的应用而生。其惊人的180A连续漏极电流承载能力和低至1.7毫欧的导通电阻，意味着在相同的空间内，您能获得更低的导通损耗和更高的功率吞吐量，直接转化为系统整体能效的显著提升和散热设计的简化。

这颗芯片的强大实力，在电动汽车的OBC（车载充电机）、DC-DC转换器以及高功率伺服驱动器中展现得淋漓尽致。面对频繁启停、大电流冲击的工况，STH290N4F6-6AG凭借其优化的栅极电荷和坚固的体二极管特性，确保了开关过程既快速又柔和，有效抑制电压尖峰和电磁干扰，让您的产品不仅性能强劲，更能轻松满足严苛的汽车级AEC-Q101可靠性标准。这意味着，从-55°C到175°C的极端温度范围内，它都能稳定工作，为您的系统提供全天候的保障。选择它，就是为您的产品注入了来自顶级半导体制造商的基因与信心。

那么，在众多同类产品中，为何STH290N4F6-6AG是您的不二之选？首先，它代表了性能与可靠性的黄金平衡点。40V的漏源电压完美覆盖了主流24V/48V总线应用，而H2PAK-6封装则在优异的散热性能和占板面积之间取得了最佳妥协，让PCB布局更加游刃有余。其次，其背后是意法半导体强大的技术支撑和成熟的供应链体系，确保您能获得持续稳定的供应和技术支持。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星产品，专业的ST芯片代理将是您连接尖端技术与成功产品的坚实桥梁。选择STH290N4F6-6AG，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一个能助力您的设计脱颖而出、在市场竞争中占据先机的强大引擎。

型号:STH290N4F6-6AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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还在为寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STH290N4F6-6AG正是为您破解这一难题的利器。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有高达180A的电流处理能力和仅1.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的开关损耗和发热，让电源转换效率轻松跃升新台阶。

它专为汽车和工业领域的严苛应用而设计，符合AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行。无论是构建更紧凑的车载充电器，还是打造响应更迅捷的电机驱动器，它都能让您游刃有余。其优化的封装与电气特性，直接助力您简化散热设计、提升功率密度，最终让您的终端产品更具市场竞争力。