STH320N4F6-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH320N4F6-2技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗而烦恼？当每一瓦特的能量都关乎产品的续航与性能，选择一颗真正高效的功率开关器件，往往成为设计成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体专为严苛应用打造的功率解决方案STH320N4F6-2。这颗基于先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，以其低至1.3毫欧的导通电阻，在80A的大电流下为您带来前所未有的低导通损耗，这意味着更少的能量以热的形式浪费，更高的系统整体效率，以及更长的设备运行时间。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一份电能都直接转化为澎湃动力；在工业伺服系统的电源模块里，稳定与高效是生产线不间断运行的基石；亦或是在高密度服务器电源中，如何在有限空间内处理巨大功率的同时保持冷静。STH320N4F6-2正是为这些挑战而生。它高达200A的连续漏极电流承载能力和40V的漏源电压，为48V混动系统、大电流DC-DC转换器、高性能电机控制等应用提供了坚实的核心。其符合AEC-Q101车规标准并采用Automotive级认证，确保了即使在-55°C至175°C的极端温度范围内也能稳定可靠地工作，满足汽车、工业等高可靠性领域的严苛要求。

为何众多领先厂商在关键设计中信赖STH320N4F6-2？答案在于它卓越的综合性能与价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，频率可以做得更高。HPAK封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达300W的功率耗散，其表面贴装形式也便于自动化生产，提升制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理，您依然可以获得稳定的供货渠道与专业的技术支持，确保现有产品线的延续与新项目的顺利开发。选择STH320N4F6-2，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的、能够助力您的产品在能效和可靠性上脱颖而出的强大伙伴。

型号:STH320N4F6-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
现在可以订购STH320N4F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找能扛起大电流重任又保持冷静的功率开关吗？STH320N4F6-2正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达200A的电流处理能力和仅1.3毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统在开关和导通状态下的能量损耗，让您的电源设计或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，配合HPAK封装，不仅开关速度快、驱动简单，更能高效散热，轻松应对300W的功率挑战。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和符合汽车级AEC-Q101的标准，确保它在电动汽车、工业自动化等要求严苛的应用中稳定可靠，助您轻松打造高性能、高可靠性的终端产品。