STH360N4F6-2

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为系统损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够承载180A强大电流，同时将导通电阻降至惊人的1.25毫欧的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？这正是STH360N4F6-2 N沟道MOSFET为您呈现的答案。它不仅仅是一个组件，更是意法半导体尖端STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为应对高电流、高效率的严苛挑战而生。

无论是服务器和数据中心里日夜不停歇的电源单元，还是电动汽车中要求瞬态响应极快的电机驱动与DC-DC转换器，甚至是工业自动化设备中那些需要可靠、强劲功率输出的场景，STH360N4F6-2都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和300W的功率耗散能力，为系统提供了坚固的安全边际，而宽广的-55°C至175°C工作结温范围，则确保了它在从酷寒到炎热的任何环境下都能稳定运行，让您的产品无惧环境考验，可靠性倍增。

选择STH360N4F6-2，就是选择了一种更明智的设计哲学。极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让散热设计变得更简单，系统寿命得以延长。其优化的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提升整体频率性能，让电源设计更紧凑、更高效。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得这颗性能标杆级的器件，用于现有产品的维护或特定高性能项目的开发。它代表了一个时代的性能巅峰，是您在打造高效、可靠、高性能功率系统时的坚实基石。

• 型号:STH360N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH360N4F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“能量阀门”吗？STH360N4F6-2正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，旨在让您的电源和电机驱动设计脱胎换骨。

它能轻松驾驭高达180A的连续电流，同时将导通电阻控制在极低的1.25毫欧，这意味着在通过大电流时，能量损耗被大幅削减，系统效率显著提升，发热也更少。其优化的动态特性，让开关过程更加干净利落，帮助您构建出更高效、更紧凑的功率转换解决方案。

无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克高功率密度设计中的散热难题，STH360N4F6-2都能为您提供强大的半导体支持，让您的产品在性能和可靠性上占据领先优势。