STH52N10LF3-2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH52N10LF3-2AG技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？当您的设计需要在高频、高功率场景下稳定运行时，一款能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和卓越热管理能力的MOSFET，就是您突破瓶颈的关键。今天，我们向您隆重介绍来自意法半导体的明星产品STH52N10LF3-2AG，它正是为满足您对高效能与高可靠性的严苛要求而生。

想象一下，在服务器电源单元中，能量转换的每一个瞬间都至关重要；在工业电机驱动器中，每一次精准的启停都关乎生产效率；在新能源车的车载充电机(OBC)或DC-DC转换器中，紧凑空间内的稳定大电流处理能力直接决定了用户体验。STH52N10LF3-2AG凭借其100V的耐压和高达52A的连续电流能力，轻松驾驭这些核心应用。其采用的先进STripFET F3技术，将导通电阻(RDS(on))在10V驱动下压低至仅20毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的发热，让您的系统在满负荷运行时依然保持“冷静”，显著提升整体能效和功率密度。

选择STH52N10LF3-2AG，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速且干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让您的高频开关电源设计变得更加高效和稳定。宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C结温)和坚固的H2PAK-2封装，提供了出色的热性能和机械可靠性，确保产品即使在最恶劣的环境下也能长久稳定运行。当您需要可靠的供应链和技术支持时，我们的专业ST芯片代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

制造商产品型号：STH52N10LF3-2AG
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：STripFET F3
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 26A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.5nC @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 400V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：H2Pak-2
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STH52N10LF3-2AG正是您的理想之选。这颗N沟道功率MOSFET基于意法半导体先进的STripFET F3技术打造，拥有100V的漏源电压和高达52A的连续电流处理能力，让您在设计大功率转换电路时底气十足。

它的最大魅力在于极低的导通电阻（仅20毫欧@10V），能显著降低传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、高效的开关性能，让您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小磁性元件尺寸，提升功率密度。无论是服务器电源、工业电机驱动还是新能源车载系统，选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。