STI15NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI15NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个历经市场验证的卓越解决方案STI15NM60N。这款来自ST意法半导体的功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的深厚底蕴，将600V的耐压能力与仅299毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和系统稳定性。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的得力助手。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）乃至工业照明镇流器等关键应用中，STI15NM60N如何大显身手。其14A的连续漏极电流承载能力和125W的强大功率处理能力，确保了在高负载下的持续稳定运行。通孔I2PAK封装提供了优异的散热路径，让热量轻松导出，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内，也能保持卓越性能，极大延长了设备的使用寿命并减少了维护需求。这意味着您的系统可以更紧凑、更安静、更可靠地工作。

选择STI15NM60N，就是选择了一份经过时间考验的安心与价值。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其成为许多经典或长生命周期产品升级、维护以及备货的绝佳选择。其低至37nC的栅极电荷和优化的动态特性，能显著降低开关损耗，让您的系统整体能效迈上新台阶。当您需要获取这款经典器件或进行技术咨询时，可以信赖专业的ST代理商，他们能为您提供可靠的原装货源和深入的技术支持，确保您的项目顺利推进。拥抱这份源自MDmesh II技术的强大动力，让STI15NM60N为您的下一个设计注入高效与可靠的核心能量。

型号:STI15NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极低损耗的功率开关吗？STI15NM60N正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，其核心秘密在于先进的MDmesh II技术，它能将导通电阻有效降低，从而大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计并提升可靠性。优化的栅极电荷和电容特性让驱动设计更轻松，开关速度更快，损耗更低。坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您的产品能够从容应对各种苛刻环境挑战，稳定运行，无后顾之忧。