STL105DN4LF7AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL105DN4LF7AG技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的汽车电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高功率与严苛环境的双通道MOSFET解决方案？答案就在STL105DN4LF7AG。这颗来自意法半导体的汽车级功率器件，以其卓越的性能和坚固的基因，正重新定义着车载电源管理和电机驱动的效率边界。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统竞争力、加速产品上市的有力引擎。

想象一下，在电动汽车的DC-DC转换器中，需要高效、紧凑地处理大电流；在先进的ADAS传感器供电模块里，稳定与低损耗是生命线；或是引擎控制单元中那些需要快速响应的负载开关场景。STL105DN4LF7AG正是为这些挑战而生。其双N通道设计提供了灵活的配置空间，高达40A的连续漏极电流和低至4.5毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和发热，直接将系统能效推向新高。而它天生具备的AEC-Q101认证与-55°C至175°C的宽结温工作范围，让它无惧从冰原到沙漠的极端温度考验，为您的设计注入全天候的可靠性。

选择STL105DN4LF7AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。STripFET F7技术确保了其在开关速度和导通电阻之间的完美平衡，27.5nC的低栅极电荷让开关更迅捷，损耗进一步降低。表面贴装封装适应了现代汽车电子对高密度PCB布局的迫切需求。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了正品供应与全程服务，让您的创新之路后顾无忧。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为您的下一代智能、绿色汽车应用注入强劲动力的战略决策。

型号:STL105DN4LF7AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N-通道（双）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1594pF @ 25V
功率 - 最大值:94W
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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您是否希望为汽车电源系统找到一颗既能扛住大电流，又能保持冷静高效的“心脏”？STL105DN4LF7AG正是您期待的答案。这颗汽车级双N通道MOSFET阵列，凭借其40V的耐压和高达40A的电流处理能力，让您能够轻松驾驭DC-DC转换、电机驱动等高功率任务，同时极低的导通电阻（仅4.5毫欧）大幅减少了能量损耗，直接提升系统整体能效。

它基于先进的STripFET F7技术打造，不仅开关速度快，栅极电荷低，更能确保在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。这意味着，无论是引擎舱内的严酷环境，还是智能驾驶模块的精密供电，它都能提供卓越的可靠性。选择它，就是为您的设计选择了经AEC-Q101认证的汽车级品质与持久性能，让您的产品在竞争中脱颖而出。