STL110N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL110N10F7技术参数详情：

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率开关器件，竟能成为决定系统成败的关键？今天，我们为您带来一个能彻底改变游戏规则的解决方案STL110N10F7。这款来自意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中高功率密度应用的效率标准。想象一下，在100V的电压平台上，它能持续承载高达107A的电流，而其导通电阻在10V驱动下仅为惊人的6毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)和DC-DC转换器，STL110N10F7都能游刃有余。它采用的先进STripFET VII技术和DeepGATE结构，确保了在严苛的开关频率下依然保持出色的开关特性与稳定性。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着驱动电路的设计可以更简单，开关速度更快，从而显著降低开关损耗，让您的系统在高效与可靠之间找到完美平衡。面对从-55°C到175°C的宽广结温范围挑战，它都能稳定工作，为您的产品适应各种极端环境提供了坚实保障。

选择STL110N10F7，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了PCB空间，助力实现更紧凑、更集成的系统设计。这颗芯片所代表的，是意法半导体对功率半导体技术的深刻理解与持续创新。为了确保您能便捷、可靠地获得这一优质产品，我们推荐您通过官方授权的ST代理进行采购，从而获得完整的技术支持、正品保障和稳定的供货渠道。让STL110N10F7成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电源新纪元。

型号:STL110N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:136W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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在追求极致效率的电源世界里，您是否正在寻找一颗既能扛起大电流重担，又能保持冷静低调的功率开关？STL110N10F7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达107A的连续电流能力，其核心魅力在于仅6毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它集成了意法半导体先进的STripFET VII与DeepGATE技术，不仅开关性能出色，栅极驱动需求也更简单。这意味着您可以轻松设计出更快速的开关电路，提升整体电源转换效率，同时其坚固的PowerFlat封装确保了卓越的散热性能和可靠性。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或车载系统注入一颗强劲而高效的核心。