STL117N4LF7AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否正在寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案STL117N4LF7AG。这款来自意法半导体STripFET F7家族的N沟道MOSFET，以其高达119A的连续漏极电流和仅为3.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在新能源汽车的电机驱动器中，或在工业自动化设备的伺服控制器里，电流的每一次通断都关乎系统的稳定与效率。STL117N4LF7AG正是为此类高要求场景而生。其卓越的电气特性，意味着在相同的电流下，产生的热量更少，损耗更低，从而让您的终端设备运行更凉爽、更持久、更可靠。无论是面对瞬间的高峰电流冲击，还是在-55°C至175°C的严苛温度范围内持续工作，它都能游刃有余，确保系统心脏的强劲搏动。选择它，就是为您的电源转换、电机控制或负载开关应用注入一颗澎湃而稳定的“芯”。

为何众多领先企业将STL117N4LF7AG作为首选？答案在于它带来的综合价值飞跃。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关应用也能轻松实现高效率，直接助力提升整机能效等级。其采用的PowerFlat（5x6）封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让功率密度得以大幅提升。这意味着您可以在更小的体积内实现更强的功率输出，为产品设计带来前所未有的灵活性。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，品质与可靠性经过严苛认证，是您进军汽车电子或任何高可靠性市场的坚实保障。若您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们的合作伙伴ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STL117N4LF7AG，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个助力您产品成功、赢得市场的战略伙伴。

• 型号:STL117N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):119A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率开关的损耗和温升问题烦恼吗？让STL117N4LF7AG为您带来焕然一新的高效体验。这颗车规级N沟道MOSFET拥有119A的强大电流承载能力和低至3.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、电源转换或负载管理应用运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET F7技术，开关性能优异，能轻松应对高频工作场景，提升系统整体效率。同时，其紧凑的PowerFlat封装为您节省布局空间，并优化散热。无论是面对严苛的汽车环境还是高强度的工业应用，它都能提供稳定可靠的性能，让您的设计更具竞争力。