STL12N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL12N3LLH5技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内提供强劲动力与高效控制的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色解决方案STL12N3LLH5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和可靠的品质，早已成为众多工程师在高效电源转换和电机驱动应用中的秘密武器。虽然它已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的库存，依然能为您的经典或特定项目提供坚实的保障。

想象一下，在您的手持设备、便携式工具或紧凑型电源模块中，空间是多么宝贵。STL12N3LLH5采用的PowerFlat（3.3x3.3）超薄封装，正是为征服这些狭小空间而生。它不仅能轻松贴装，更能有效降低整体模块高度和热阻。当它工作在同步整流、DC-DC转换或负载开关电路中时，其低至9毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的电池续航时间和更低的系统温升，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STL12N3LLH5，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。它隶属于STripFET V产品家族，继承了意法半导体在功率MOSFET领域的深厚技术积淀。高达12A的连续漏极电流能力和30V的漏源电压，确保了它在苛刻条件下的稳定输出。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路设计更为简单高效，开关速度更快，进一步提升了整体系统的效率。对于需要稳定供货和成熟方案支持的客户，通过信赖的ST代理商进行采购，是获得正品保障和专业技术支持的最佳途径。让这颗经典的功率芯片，为您的创新注入持久而高效的动力。

型号:STL12N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能兼顾高性能与超小尺寸的功率开关吗？STL12N3LLH5正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用先进的PowerFlat封装，面积仅3.3x3.3毫米，却能轻松驾驭30V电压和高达12A的连续电流，让您在极其紧凑的空间内实现高效的电源管理和电机驱动。

它的核心价值在于极低的能量损耗。其导通电阻（Rds(on)）低至9毫欧，配合优化的栅极特性，能显著减少开关和传导过程中的热量产生。这意味着，您的设备将拥有更长的运行时间、更低的温升以及更简洁的散热设计。无论是用于同步整流提升DC-DC转换效率，还是作为负载开关实现精准的电源域控制，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久、更可靠。