STL140N4F7AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL140N4F7AG技术参数详情：

当您的下一代汽车电子系统需要兼顾极致效率与可靠性能时，您是否在寻找一颗能承载高功率、同时将能量损耗降至最低的核心开关器件？答案或许就藏在STL140N4F7AG这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。凭借意法半导体先进的STripFET技术，它实现了超低的导通电阻与卓越的开关性能，让能量在系统中更顺畅、更高效地流动，将每一分电力都转化为有价值的输出。

这颗芯片的强大实力，在广阔的汽车电子领域找到了绝佳的用武之地。无论是驱动澎湃动力的48V轻度混合动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器，还是为日益增长的车辆电气化负载（如电动助力转向、电子水泵、风扇）提供精准高效的功率控制，STL140N4F7AG都能游刃有余。其高达120A的连续电流处理能力和40V的耐压等级，确保了在严苛的汽车启停、负载突降等瞬态条件下依然稳定可靠。同时，其紧凑的PowerFlat 5x6封装，完美契合了现代汽车电子对高功率密度和有限空间布局的迫切需求，让设计师在方寸之间释放巨大能量。

选择STL140N4F7AG，就是选择了一份面向未来的保障。它全面符合汽车级AEC-Q101标准，能够在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，无惧严寒酷暑的考验，为您的产品赋予了与生俱来的高可靠性与长寿命基因。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这不仅提升了系统整体效率，也降低了对驱动电路的要求，简化了设计复杂度。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴，将能确保您顺畅地获取这颗性能尖兵，并加速您的产品上市进程。让STL140N4F7AG成为您下一个成功项目的强大心脏，共同驱动更高效、更智能的汽车未来。

型号:STL140N4F7AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:111W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否希望为高功率应用找到一颗既能“扛大梁”又“省电”的理想开关？STL140N4F7AG正是为此而生。这颗采用先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET，拥有高达120A的电流承载能力和仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛的汽车环境打造，符合AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保极端条件下的可靠运行。其紧凑的PowerFlat封装，让您能在有限空间内轻松实现高功率密度设计。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，STL140N4F7AG都能让您以更小的体积和更高的效率，轻松驾驭复杂的功率管理挑战。