STL5N80K5

当您的电源设计需要在紧凑空间内处理高达800V的高压，同时还要保证系统稳定可靠时，您是否曾为寻找一颗性能与体积完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STL5N80K5。这颗采用先进PowerFlat VHV封装的高压N沟道MOSFET，正是为应对严苛的能效挑战而生，它将卓越的电气性能与超薄的封装形态融为一体，为您的高压应用注入强劲而高效的核心动力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STL5N80K5正扮演着能量高效转换的关键角色。其800V的漏源电压额定值提供了充足的安全裕量，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的工业电源、LED驱动或家电产品运行得更加安稳。而仅1.75欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下的功率损耗被大幅降低，这不仅直接提升了整机效率，更能减少散热需求，帮助您设计出更小巧、更安静的产品。无论您是开发新一代适配器、充电桩，还是升级电机驱动方案，它都能成为您提升产品竞争力的秘密武器。

选择STL5N80K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与创新价值。其采用的MDmesh K5技术，经过市场长期验证，在开关速度、导通损耗和可靠性之间取得了业界公认的优异平衡。极低的栅极电荷（仅5nC）和输入电容，让开关动作干净利落，进一步降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。表面贴装的PowerFlat（5x6）VHV封装，在提供高达38W散热能力的同时，极大节省了PCB空间，为您的产品小型化设计铺平道路。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种环境下的稳定表现。如果您正在寻找可靠的原厂供应与技术支持，我们的ST代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全程服务。立即采用STL5N80K5，让它成为您下一个成功设计中，那颗高效、可靠且省心的“心脏”。

• 型号:STL5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL5N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，一颗优秀的功率MOSFET能为您带来什么？STL5N80K5就是您的高效能量开关专家。它基于意法半导体先进的MDmesh K5技术打造，拥有800V的高耐压和仅1.75欧姆的低导通电阻，能显著降低您在高压开关应用中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

这颗芯片能为您轻松应对高频开关挑战。其极低的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关切换，有效减少开关损耗，提升系统整体响应速度。同时，创新的PowerFlat VHV封装在实现超薄外形的同时，提供了出色的散热性能，让您能在紧凑的空间内布局大功率电路，完美平衡性能与体积。