STL150N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL150N3LLH5技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换领域，您是否还在为寻找一款既能承载大电流又具备超低损耗的开关器件而苦恼？想象一下，一个能轻松处理高达195A电流的解决方案，同时将导通损耗降至几乎可以忽略的1.75毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统能效与可靠性的革命性飞跃。今天，我们为您带来的STL150N3LLH5，正是这样一颗旨在重塑功率密度的N沟道MOSFET，它基于意法半导体引以为傲的STripFET V技术，将高性能与紧凑封装完美结合。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和散热都极其敏感的应用，STL150N3LLH5都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达150°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的稳定运行。PowerFlat（5x6）的超薄封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能让您的设计从容应对持续的高功率挑战，让系统运行更凉爽、更持久。

选择STL150N3LLH5，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿技术的结合。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松迈向更高频率，从而缩小磁性元件体积，降低整体成本。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的稳定与安全。这颗芯片的价值，不仅在于它本身卓越的参数，更在于它能为您的终端产品注入的高效、紧凑与可靠的基因，是您在激烈市场竞争中打造差异化优势的强力引擎。

型号:STL150N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:114W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在设计需要处理庞大电流的电源或电机驱动方案吗？STL150N3LLH5就是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的195A连续电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的1.75毫欧，能极大降低开关过程中的功率损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。

得益于仅4.5V的低驱动电压和极低的栅极电荷，它能实现快速、干净的开关动作，让您轻松优化驱动电路，提升开关频率。同时，其坚固的PowerFlat封装确保了出色的散热性能，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。选择它，就是为您的项目选择了一份高效与可靠并重的强大保障。