STL15N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL15N3LLH5技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键的电源开关元件，既能承载高达15A的连续电流，又能将导通电阻压降至惊人的5.4毫欧，这背后意味着更低的能量损耗、更少的发热以及更长的系统寿命。这正是STL15N3LLH5 N沟道功率MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这款芯片天生为高效电能转换而生。其卓越的电气特性，例如仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，让它在从电池管理、电机驱动到DC-DC转换器的广阔舞台上大放异彩。无论是便携设备中需要延长续航的精密电源路径管理，还是工业自动化中要求稳定可靠的大电流开关控制，STL15N3LLH5都能以出色的性能从容应对。其PowerFlat 3.3x3.3的超紧凑封装，更是为空间受限的现代电子产品设计提供了极大的灵活性，让您在寸土寸金的PCB上也能部署强大的功率处理能力。

选择STL15N3LLH5，就是选择了一份由意法半导体先进STripFET技术背书的质量与可靠性。它能够在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作，确保了产品在各种环境下的耐用性。虽然该型号目前已停产，但对于许多现有产品线的维护、升级或特定批量的生产而言，它依然是经过市场验证的优选方案。通过值得信赖的ST授权代理渠道，您可以获取到原装正品，保障供应链的稳定与安全。让这颗凝聚了高效、紧凑与可靠基因的功率器件，成为您优化设计、赢得市场的坚实基石。

型号:STL15N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
现在可以订购STL15N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能“扛大任”又“省地方”的功率开关吗？STL15N3LLH5正是您的理想之选！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达15A的连续电流处理能力，却能将导通电阻控制在极低的5.4毫欧。这意味着它能为您大幅降低开关过程中的功率损耗，提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

更令人惊喜的是，它采用先进的PowerFlat 3.3x3.3超薄封装，在提供强大功率的同时，为您节省宝贵的电路板空间。其低至4.5V的驱动门限电压，让您能够轻松搭配各种控制电路，实现高效、快速的大电流切换。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，STL15N3LLH5都能让您的设计更加高效、紧凑和可靠。