SCTH50N120-7

在追求极致能效与功率密度的今天，您的下一代电源设计是否正面临散热、效率与体积的多重挑战？答案或许就藏在SCTH50N120-7这颗来自ST意法半导体的创新芯片之中。它不仅仅是一个功率器件，更是开启高效、紧凑、可靠电源解决方案的钥匙，专为那些对性能有严苛要求的应用而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，能量转换的每一个环节都至关重要。SCTH50N120-7凭借其先进的宽禁带技术，能够在高频下实现极低的开关损耗和导通电阻，这意味着您的系统不仅能以更高的效率运行，显著降低能源浪费和运营成本，还能有效控制温升，提升整体可靠性。更小的发热量直接带来了散热设计的简化，让您的产品结构更紧凑，或在同等体积下释放出更强大的功率输出潜力。

选择SCTH50N120-7，就是选择为您的产品注入领先的技术基因。它代表了ST在功率半导体领域的前沿探索，其稳定的性能和卓越的品质，是经过市场验证的可靠保障。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份确保您能获得原厂直供的正品芯片与专业的服务。无论是提升现有产品的竞争力，还是攻克全新项目的技术难关，这颗芯片都能成为您最值得信赖的伙伴，帮助您轻松应对高功率密度设计的挑战，将创意高效转化为市场领先的产品。

• 型号:SCTH50N120-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• 现在可以订购SCTH50N120-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为传统硅基功率器件的效率瓶颈和散热难题而困扰吗？让SCTH50N120-7为您带来变革性的解决方案。这颗基于先进宽禁带技术的功率芯片，核心使命就是让您的电源系统运行得更“冷静”、更高效。

它能够显著降低开关和导通过程中的能量损耗，这意味着您的设备可以在更高的频率下工作，从而允许使用更小的无源元件，最终实现电源模块体积的缩小和功率密度的飞跃提升。无论是用于服务器、工业驱动还是新能源领域，它都能帮助您轻松构建出更紧凑、更可靠、能效比出众的下一代电源平台，让您的产品在市场中脱颖而出。