STP360N4F6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当电流高达120A，每一毫欧的导通电阻都意味着能量的流失与成本的增加。现在，让我们向您介绍一个能够重新定义功率密度的解决方案STP360N4F6。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其惊人的1.8毫欧超低导通电阻（@60A, 10V），将导通损耗降至前所未有的低水平，让您的系统在启动和运行的每一刻都更加冷静、高效。

想象一下，在严苛的汽车引擎舱环境中，或是工业级大功率电源模块内部，高温和振动是常态。STP360N4F6正是为此而生。它隶属于Automotive, AEC-Q101认证系列，并采用了先进的DeepGATE和STripFET VI技术，确保了在-55°C至175°C的结温范围内稳定可靠地工作。无论是用于电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流，还是作为负载开关控制大电流通断，它都能提供坚固耐用的性能表现。其TO-220封装形式兼顾了出色的功率耗散能力（高达300W）与工程师熟悉的安装便利性，让升级和替换变得轻松自如。

选择STP360N4F6，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计信心。它意味着您的产品可以承载更高的电流而无需担忧过热，意味着系统整体效率的提升能直接转化为更长的续航或更低的运营成本。尽管该型号目前已停产，但其卓越的设计和可靠性在诸多现有及备品方案中依然闪耀着价值。如果您正在寻找能够经受时间考验的功率器件，或需要可靠的ST芯片代理来支持您的长期供应链，这颗芯片所代表的高标准与高性能，无疑是您值得信赖的基石。让它成为您强大动力背后的沉默功臣，释放每一瓦特的全部潜能。

• 型号:STP360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP360N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高达120A电流的电路吗？STP360N4F6就是为您准备的强大心脏。这颗40V N沟道MOSFET拥有仅1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升整体能效和功率密度。

基于ST意法半导体先进的DeepGATE和STripFET VI技术，它不仅能轻松应对高电流挑战，其AEC-Q101汽车级认证更确保了在极端温度（-55°C至175°C）和恶劣环境下的卓越可靠性。无论是用于汽车应用、工业电源还是大功率开关，它都能提供稳定、坚固的性能，让您的产品设计更具竞争力。