STL160N3LLH6

想象一下，在您最新的电源管理或电机驱动设计中，是否曾因功率器件的导通损耗过高而限制了整体效率的突破？当电流高达上百安培时，每毫欧的电阻都意味着显著的功率浪费和热量堆积。现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高性能解决方案STL160N3LLH6。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其惊人的低导通电阻和强大的电流处理能力，正成为工程师们在追求极致效率道路上的秘密武器。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要爆发性动力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中的高功率负载开关，STL160N3LLH6都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达160A的连续漏极电流（Tc）能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。更关键的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的1.3毫欧，这意味着在通过大电流时，芯片本身的功耗被压至极低水平，从而让更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这种高效能直接转化为系统更长的运行时间、更小的散热器需求以及更高的可靠性，让您的产品在市场竞争中脱颖而出。

选择STL160N3LLH6，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET。它采用了意法半导体先进的STripFET VI技术和DeepGATE结构，这些技术确保了器件在提供超低Rds(on)的同时，还拥有优异的开关性能和栅极电荷特性（Qg仅61.5nC @ 4.5V），这有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计。其PowerFlat（5x6）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了热性能，使136W的功率耗散能力得以充分发挥。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能使其在特定高端或存量市场中依然具有不可替代的价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、强劲的电力电子系统的核心基石。

• 型号:STL160N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL160N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭百安级电流，同时将导通损耗降至最低的功率开关？STL160N3LLH6正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达160A的连续电流承载能力，而其最耀眼之处在于极低的导通电阻在10V驱动下仅1.3毫欧，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。

它采用先进的STripFET VI技术，不仅让您获得卓越的电气性能，其优化的栅极电荷（61.5nC）还能帮助您实现更高效、更快速的开关控制，简化驱动设计。无论是用于同步整流、电机驱动还是大电流负载开关，STL160N3LLH6都能让您的产品运行更凉爽、更可靠、性能更强劲。