STP4NB80 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP4NB80技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，工程师们需要的不仅是一个开关，更是一个兼具坚固耐用与高效节能的解决方案。现在，答案就在眼前STP4NB80，这颗源自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，正是为突破此类挑战而生。它以其卓越的800V耐压能力和优化的动态特性，为您的电源系统注入强劲而稳定的核心动力，让每一次开关都精准而高效。

想象一下，在工业开关电源、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器乃至照明镇流器中，STP4NB80都能大显身手。它高达4A的连续漏极电流和仅3.3欧姆的低导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅降低，系统整体效率得以显著提升。其TO-220AB的经典封装形式，不仅提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下稳定工作，也简化了您的PCB布局与装配流程。无论是应对严苛的工业环境，还是追求紧凑的家电设计，它都能轻松融入，成为提升产品竞争力的秘密武器。

选择STP4NB80，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的PowerMESH技术确保了器件在高压下依然拥有优异的开关性能和可靠性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的性能，使其成为许多经典和特定应用场景中极具性价比的优选。为确保您获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。这不仅是获得原装芯片的保障，更是为您的项目顺利推进增添了一份安心。让STP4NB80以其强大的性能，助您轻松驾驭高压领域，打造出更高效、更可靠、更具市场吸引力的终端产品。

型号:STP4NB80
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
现在可以订购STP4NB80，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压、同时保持高效开关性能的功率MOSFET吗？STP4NB80正是为您而来！这颗N沟道MOSFET采用意法半导体先进的PowerMESH技术，拥有4A的连续电流处理能力，其低至3.3欧姆的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它专为应对高压环境下的严苛挑战设计，高达100W的功率耗散能力和150°C的最大工作结温，确保了在恶劣条件下的长期稳定运行。无论是用于开关电源、PFC电路还是照明应用，STP4NB80都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，实现出色的性能目标。