STL17N3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL17N3LLH6技术参数详情：

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效功率转换时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体旗下的明星产品STL17N3LLH6，这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，正是为突破空间与效率的极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式电源或是高密度服务器主板中，每一平方毫米的PCB面积都弥足珍贵。STL17N3LLH6凭借其仅为3.3x3.3毫米的超薄PowerFlat封装，能够轻松融入最苛刻的布局，为其他关键功能模块释放宝贵空间。其高达17A的连续漏极电流承载能力和低至4.5毫欧的导通电阻，意味着在同步整流、电机驱动、负载开关等关键应用中，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。这种高效表现，直接转化为更长的电池续航、更低的系统温升以及更稳定的整体性能，让您的终端产品在市场中脱颖而出。

为何众多工程师在面临严苛的功率管理挑战时，会毫不犹豫地选择STL17N3LLH6？其核心在于意法半导体深厚的STripFET VI与DeepGATE技术底蕴。这些技术确保了芯片在仅需4.5V的低驱动电压下，就能实现极低的导通电阻，这不仅简化了驱动电路设计，更提升了系统的整体能效。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对极端环境变化的卓越鲁棒性，无论是炎热的户外设备还是低温的工业场景，都能稳定运行。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。选择STL17N3LLH6，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能承诺，它将为您的创新设计注入强劲而持久的动力。

型号:STL17N3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率转换效率低下和空间局促而困扰吗？让STL17N3LLH6为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，能够在仅4.5V的低驱动电压下，实现惊人的4.5毫欧超低导通电阻，轻松驾驭高达17A的连续电流。这意味着在您的同步整流或电机控制电路中，它能大幅削减开关损耗，让电能转换前所未有的高效。

更令人赞叹的是，它采用了超薄紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，完美解决高密度电路板的设计难题，为您节省每一寸宝贵空间。其坚固的设计支持-55°C至150°C的宽温工作范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品选择了高效、紧凑与可靠的核心动力。