STL190N4F7AG

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或电机驱动方案，是否还在为功率密度与热管理的平衡而烦恼？想象一下，一颗能够承载120A持续电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的2毫欧，却能被封装在纤薄的PowerFlat（5x6）之中这不仅仅是参数，这是STL190N4F7AG为您带来的现实突破。它来自意法半导体久经考验的Automotive STripFET家族，天生就为应对严苛挑战而生。

无论是新能源汽车中高效的电驱控制、车载充电机（OBC），还是工业自动化里需要快速响应的伺服驱动器，甚至是高密度服务器电源和不断进化的无人机动力系统，STL190N4F7AG都能游刃有余。其40V的漏源电压与高达175°C的结温工作能力，确保了在复杂工况下的稳定与可靠。这意味着，您的产品不仅能应对瞬间的大电流冲击，更能长时间在高温环境下保持高性能输出，极大地拓宽了设计边界与应用场景。

选择STL190N4F7AG，就是选择了一种面向未来的设计自信。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，显著提升系统整体效率，同时降低了散热设计的压力与成本。超低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，特别适合高频开关应用，助力您实现更高功率密度和更快的动态响应。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更提供完整的技术支持与供应链保障，让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始，一路畅行无阻。

• 型号:STL190N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:127W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL190N4F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的核心功率开关吗？STL190N4F7AG正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有120A的强劲电流承载能力和低至2毫欧的导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率跃升新台阶。

它采用先进的STripFET技术与汽车级（AEC-Q101）认证的工艺制造，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。其创新的PowerFlat封装不仅节省宝贵的PCB空间，更优化了散热性能。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高效的DC-DC转换器，它都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，实现更高效、更紧凑、更可靠的产品设计。