STL220N3LLH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL220N3LLH7技术参数详情：

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达220A的连续电流时，如何确保效率与可靠性兼得？答案就藏在STL220N3LLH7这颗功率器件中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体DeepGATE与STripFET VII双重技术加持下的效率革命。在30V的电压平台上，它能以低至1.1毫欧的导通电阻，将功率损耗降至前所未有的水平，让能量几乎毫无阻碍地流动，为您的系统注入强劲而纯净的动力源泉。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电机(OBC)和低压大电流的分布式电源架构，STL220N3LLH7都能游刃有余。其PowerFlat（5x6）封装不仅实现了优异的散热性能，更节省了宝贵的PCB空间，让高功率密度设计不再是难题。在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，意味着它能从容应对极端环境，保障系统7x24小时不间断可靠运行。

选择STL220N3LLH7，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关电源设计变得轻松高效，直接提升整机效率。对于寻求稳定供应与技术支持的设计团队，通过官方授权的ST中国代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取完整的设计资源与本地化服务支持。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和备件领域依然拥有不可替代的价值，是构建高效、紧凑、可靠功率系统的经典之选。

型号:STL220N3LLH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8650 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:113W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能驾驭大电流、同时保持超高效率和可靠性的功率开关吗？STL220N3LLH7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达220A的连续电流处理能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的极低导通电阻（仅1.1毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET VII技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度快、栅极驱动简单，还能帮助您实现更小巧、更轻薄的终端产品设计。无论是提升现有方案的性能，还是攻克新的设计挑战，STL220N3LLH7都能让您轻松应对高功率密度和高可靠性的双重需求。