STL23NM50N

当您需要在高电压应用中实现高效能与紧凑设计的完美平衡时，是否曾为寻找一颗可靠的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STL23NM50N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的高耐压能力和MDmesh II技术的加持，专为应对严苛的工业环境而生。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器设计中，STL23NM50N能够轻松驾驭高电压切换，其极低的导通电阻（仅210毫欧）意味着更少的能量以热的形式耗散，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是面对工业自动化设备中频繁启停的电机，还是LED驱动电源中需要精密控制的电流，这颗芯片都能提供稳定、快速的响应，确保您的终端产品在性能与可靠性上脱颖而出。

选择STL23NM50N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其PowerFlat HV封装在仅8x8毫米的微小面积内实现了出色的散热性能，让您的PCB布局更加灵活，产品设计更加纤薄。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典和特定延续项目中最值得信赖的选择之一。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。

• 型号:STL23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL23NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高电压功率转换的效率瓶颈而困扰吗？让STL23NM50N为您开启高效之门。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的强劲耐压和低至210毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它集高电流处理能力（Tc条件下可达14A）与卓越的散热性能于一身，得益于独特的PowerFlat HV封装。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更大的功率密度，轻松应对空间受限的设计挑战。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体的可靠基因与高效动能。