STL24NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL24NM60N技术参数详情：

当您的下一个电源设计项目面临效率与尺寸的双重挑战时，您是否在寻找一颗既能扛住高压又能保持冷静的“心脏”？答案或许就藏在STL24NM60N这颗强大的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是600V耐压和16A电流能力的简单组合，更是意法半导体MDmesh II技术的杰出代表，专为那些对性能与可靠性有着严苛要求的应用而生。

想象一下，在紧凑的开关电源、高效的照明驱动或是可靠的工业电机控制系统中，STL24NM60N能够轻松应对。其215毫欧的超低导通电阻，意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的发热和更高的整体能效。配合PowerFlat HV封装，它能在极小的板面空间内实现高达125W的功率耗散能力，让您的产品设计在性能与体积之间取得完美平衡，尤其适合空间受限的现代电子设备。

选择STL24NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标包括优化的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关特性，这对于提升开关频率、减小磁性元件尺寸至关重要。对于仍有需求或特定库存备货计划的客户，通过值得信赖的ST授权代理进行咨询与采购，是获取正品保障和专业技术支持的最可靠途径。让这颗凝聚了先进技术的功率器件，成为您打造高效、紧凑、可靠电源解决方案的坚实基石。

型号:STL24NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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还在为高压大电流应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STL24NM60N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达16A的电流处理能力，其核心价值在于215毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅易于焊接和自动化生产，更能帮助您实现极其紧凑的PCB布局。无论是提升开关电源的功率密度，还是优化电机驱动的响应速度，STL24NM60N都能以卓越的开关性能和可靠的品质，助您轻松跨越设计难关，打造出更具市场竞争力的终端产品。