STR1P2UH7

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一颗既能精准控制又能节省空间的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STR1P2UH7。这颗来自ST意法半导体STripFET H7家族的明星产品，虽然已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在库存市场中依然备受青睐，成为许多经典设计或持续生产项目的理想选择。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、简化电路布局的得力助手。

想象一下，在紧凑的便携设备电源管理模块中，或者在需要高效负载开关的电池供电场景里，STR1P2UH7能够大显身手。其20V的漏源电压和1.4A的连续漏极电流，足以轻松应对大多数低电压、中等电流的应用需求。无论是智能手机的辅助电路、平板电脑的电源分配，还是物联网传感器节点的节能开关，它都能确保稳定可靠的导通与关断。其SOT-23的超小封装，更是为寸土寸金的PCB板节省了宝贵空间，让您的设计更加纤薄、紧凑。

选择STR1P2UH7，就是选择了一份经过时间考验的安心。其低至100毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的电路响应更加敏捷。虽然官方已停产，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装现货，为您的产品延续生命周期或进行维护升级提供坚实保障。这颗芯片承载着ST意法半导体的精湛工艺，是您在复杂市场中实现稳定供应的智慧之选。

• 型号:STR1P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 700mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购STR1P2UH7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？STR1P2UH7正是为您而来。它基于先进的STripFET H7技术，拥有20V/1.4A的稳健规格，能以极低的导通电阻（典型值100mΩ）高效控制电流通路，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换。其SOT-23微型封装为您节省宝贵的电路板空间，而优化的栅极驱动特性让您的设计更容易控制。无论是升级现有产品还是为经典设计寻找可靠备件，STR1P2UH7都能以出色的电气性能和ST品质，助您一臂之力。